貴金屬化合物作為OLED器件的關(guān)鍵發(fā)光材料，其發(fā)光特性源于金屬到配體的電荷轉(zhuǎn)移機(jī)制。銥(III)、鉑(II)等貴金屬配合物通過自旋軌道耦合作用，能夠同時(shí)利用單重態(tài)和三重態(tài)激子，理論上可使內(nèi)量子效率顯著提升。這類化合物的磷光壽命通常在微秒量級，其發(fā)光波長可通過改變配體結(jié)構(gòu)在380-700nm范圍內(nèi)精確調(diào)控。

　　分子設(shè)計(jì)層面，環(huán)金屬化銥配合物表現(xiàn)出特殊的電子結(jié)構(gòu)特征。配體與中心金屬的d軌道相互作用形成分子軌道分裂，這種分裂能級差決定了發(fā)光顏色。實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)顯示，當(dāng)引入氰基等吸電子基團(tuán)時(shí)，配合物的占據(jù)分子軌道能級可下移約0.3eV，相應(yīng)發(fā)射光譜會(huì)發(fā)生藍(lán)移。二聚體抑制是提升材料穩(wěn)定性的重要手段，通過在配體引入叔丁基等位阻基團(tuán)，能有效減少濃度淬滅現(xiàn)象。

　　器件工程中，貴金屬化合物的載流子平衡是需要考慮的關(guān)鍵因素。具有電子傳輸特性的空穴傳輸性的咔唑類配體的組合使用，可使器件啟亮電壓降低至3V以下。溶液法制備時(shí)，選擇適當(dāng)溶劑對薄膜形貌有直接影響，甲苯的混合溶劑能使薄膜表面粗糙度控制在1nm以內(nèi)。主體材料的選擇需滿足三重態(tài)能級高于發(fā)光客體的要求，常見CBP主體的三重態(tài)能級約為2.9eV，適合搭配發(fā)射紅光的下轉(zhuǎn)換材料。

　　環(huán)境穩(wěn)定性改善是實(shí)際應(yīng)用的重要課題。在配合物分子外圍引入長鏈烷基能形成保護(hù)層，使器件在85℃/85%RH條件下工作壽命延長30%以上。器件封裝時(shí)使用無機(jī)/有機(jī)多層阻隔膜，水汽透過率可降至10^-6g/m^2/day量級。這些措施的綜合應(yīng)用使基于貴金屬化合物的OLED器件在顯示領(lǐng)域獲得實(shí)際應(yīng)用。